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葛霁

作品数：17 被引量：23H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 15 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP DHBT HBT 磷化铟 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈延湖
供职机构：山东大学
研究主题：INGAP/GAAS_HBT HBT 小信号 MMIC INGAP/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏永波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：磷化铟 INP DHBT INP基 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈高鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：KU波段 GAAS_HBT 累加器 DHBT W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT MMIC GAAS_MMIC 薄膜电阻 无源元件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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