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杨超

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
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地区

  • 11个四川省
共 11 条 记 录，以下是 1-10
陈金菊
供职机构：电子科技大学
研究主题：铝电极箔 电极箔 高介电常数 印制电路 铝电解电容器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周琦
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：增强型 氮化镓 功率器件 ALGAN/GAN_HEMT P-GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏杰
供职机构：电子科技大学
研究主题：关断损耗 导通压降 HEMT器件 漂移区 导通
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡金勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 槽栅 功率半导体器件 SOI 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛文明
供职机构：电子科技大学
研究主题：银 纳米银 纳米 微米 导电油墨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗小蓉
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 SOI LIGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈万军
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：氮化镓 击穿电压 IGBT 脉冲放电 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯哲圣
供职机构：电子科技大学
研究主题：铝电极箔 铝电解电容器 电极箔 高介电常数 比容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大勇
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：参数优化 高稳定性 单因素实验 化学镀铜液 镀速
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范远航
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 SOI 半导体功率器件 槽栅 MOSFET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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