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李永亮

作品数：221 被引量：1H指数：1
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王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
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李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 沟道 纳米线 电子设备
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罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
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殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
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马雪丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
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张青竹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 纳米片 叠层 纳米线
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李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
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王晓磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
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