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杨涛

作品数：238 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 61 条 记 录，以下是 1-10
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 沟道 牺牲层 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺晓彬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 光刻胶 电子束曝光 电子束 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金彪
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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