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杨洪东

作品数：22 被引量：9H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构：电子科技大学
研究主题：栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江峰
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 原子结构 沟道 互补金属氧化物半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全冯溪
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：硅材料 SIGE材料 应力 表面粗糙度 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴强
供职机构：电子科技大学
研究主题：微加速度计 非线性模型 电容式微加速度计 MLCC 热应力分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁宁
供职机构：电子科技大学
研究主题：模拟集成电路 模数转换器 电容 模拟数字转换 比较器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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