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陈辰

作品数：28 被引量：5H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：GAN_HEMT器件 势垒层 金属 金刚石 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：铝镓氮 氮化镓器件 击穿电压 化物 跨导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：铝镓氮 电极 栅电极 接触系统 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延片 硅外延 外延层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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