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罗明雄

作品数：12 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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地区

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共 22 条 记 录，以下是 1-10
刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 显影 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张龙海
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体刻蚀 2.5GB/S 半导体集成电路 高电子迁移率晶体管 发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李无暇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：恒流源 金属 驱动电路 自调整 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构：四川大学物理科学与技术学院
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT HBT 光调制器驱动电路 INGAP/GAAS 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李无瑕
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体刻蚀 半导体集成电路 发射区 晶体管 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱永学
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 自对准 GAAS_HBT 半导体集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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