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王利忠

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
徐伟
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：4H-SIC 半绝缘 SIC 金刚石 粉料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王英民
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：籽晶 氧化镓 单晶生长 氮化铝 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛开礼
供职机构：西安理工大学
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 半绝缘 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李斌
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：低噪声放大器 射电望远镜 SIC 宽带 粉料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯晓蕊
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：4H-SIC 半绝缘 单晶生长 大直径 粒度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田牧
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：粒度 温度 碳化硅 SIC单晶 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴鑫
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：4H-SIC SIC 半绝缘 电阻率 应力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜志艳
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：SIC 晶片加工 金刚石 线切割 S7-1200
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范云
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：半绝缘 高热导率 功率电子器件 单晶生长 微电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏汝省
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所
研究主题：高纯 粉料 碳化硅 高真空 H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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