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靳翀

作品数：18 被引量：6H指数：1
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共 22 条 记 录，以下是 1-10
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周伟
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构：电子科技大学
研究主题：GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢盛辉
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 场板 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 表面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构：电子科技大学
研究主题：电流崩塌 电流崩塌效应 表面态 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江峰
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 原子结构 沟道 互补金属氧化物半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗大为
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 氮化镓 场板 GAN高电子迁移率晶体管 温度分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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