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黄森

作品数：92 被引量：27H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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王鑫华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 刻蚀 GAN 增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 ALGAN/GAN GAN 电子束光刻 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 电流崩塌 DOHERTY功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
包琦龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 二维电子气 沟道 阈值电压 功率电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊捷
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 HEMT器件 氮化镓器件 氮化镓材料 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：光刻胶 光刻 刻蚀机 刻蚀 对等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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