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朱慧珑

作品数：1,185 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
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地区

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尹海洲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
骆志炯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 堆叠 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁擎擎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 半导体 沟道 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟汇才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许淼
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 FINFET 半导体 穿通 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱正勇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 电子设备 半导体器件 衬底 负电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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