您的位置： 专家智库 > >

杨翠柏

作品数：23 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

合作作者

领域

  • 24个电子电信
  • 18个理学
  • 15个金属学及工艺
  • 15个自动化与计算...
  • 15个文化科学
  • 14个化学工程
  • 12个机械工程
  • 12个电气工程
  • 11个一般工业技术
  • 10个经济管理
  • 7个医药卫生
  • 3个矿业工程
  • 3个动力工程及工...
  • 3个轻工技术与工...
  • 3个交通运输工程
  • 3个农业科学
  • 2个核科学技术
  • 1个哲学宗教
  • 1个生物学
  • 1个天文地球

主题

  • 21个氮化镓
  • 21个势垒
  • 21个肖特基
  • 20个氮化
  • 19个异质结
  • 18个氮化铝
  • 17个电学性能
  • 17个电子迁移率
  • 15个单晶
  • 15个氮化铟
  • 15个电阻
  • 13个导体
  • 13个电极
  • 12个带隙
  • 12个单晶薄膜
  • 12个氮化物
  • 12个氮化镓材料
  • 9个氮化物半导体
  • 9个氮化物半导体...
  • 8个氮气

机构

  • 25个中国科学院
  • 4个中国科学院大...
  • 2个河南大学
  • 2个西安交通大学
  • 2个西北大学
  • 2个河北科技大学
  • 2个扬州中科半导...
  • 1个大连理工大学
  • 1个北京大学
  • 1个北京师范大学
  • 1个第二炮兵工程...
  • 1个南开大学
  • 1个南京电子器件...
  • 1个北京工业大学
  • 1个河北工业大学
  • 1个盐城师范学院
  • 1个武汉理工大学
  • 1个中国科学院微...
  • 1个中国电子学会

资助

  • 23个国家自然科学...
  • 23个中国科学院知...
  • 21个国家重点基础...
  • 18个国家高技术研...
  • 15个中国科学院知...
  • 5个河北省自然科...
  • 5个中国科学院科...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家教育部博...
  • 4个国家重点实验...
  • 4个中国科学院知...
  • 4个中国科学院重...
  • 3个北京市自然科...
  • 3个教育部留学回...
  • 3个“九五”国家...
  • 3个国际科技合作...
  • 3个江苏省高校自...
  • 2个教育部科学技...
  • 2个北京市科技计...
  • 2个国家杰出青年...

传媒

  • 20个半导体技术
  • 20个Journa...
  • 19个第十四届全国...
  • 14个第十五届全国...
  • 11个第十五届全国...
  • 9个物理学报
  • 9个第十三届全国...
  • 8个功能材料与器...
  • 8个固体电子学研...
  • 8个第十一届全国...
  • 8个第十七届全国...
  • 8个第13届全国...
  • 7个红外与毫米波...
  • 7个发光学报
  • 7个第六届全国分...
  • 7个第十二届全国...
  • 6个稀有金属材料...
  • 5个光电子．激光
  • 5个光学学报
  • 5个光子学报

地区

  • 22个北京市
  • 1个陕西省
  • 1个天津市
  • 1个河北省
共 25 条 记 录，以下是 1-10
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 金属有机物化学气相沉积 MOCVD 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GAN 金属有机物 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张小宾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：成核 氮化镓 晶体质量 铟镓氮 缺陷密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉学军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 成核 铟镓氮 晶体质量 金属有机物化学气相沉积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯春
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 势垒 高电子迁移率晶体管 气体传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0