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李无瑕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

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共 14 条 记 录，以下是 1-10
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 显影 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱永学
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 自对准 GAAS_HBT 半导体集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑坚斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体集成电路 发射区 晶体管 淀积 等离子体刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗明雄
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属 等离子体刻蚀 高电子迁移率晶体管 GAAS 半导体集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张龙海
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体刻蚀 2.5GB/S 半导体集成电路 高电子迁移率晶体管 发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建新
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB 红外探测器 长波 长波红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李爱珍
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：分子束外延 GAAS MBE 半导体 MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨雪莹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT EOT 纳米CMOS器件 纳米 自对准工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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