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张凯

作品数：13 被引量：11H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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  • 14个江苏省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 低噪声放大器 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郁鑫鑫
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金刚石 欧姆接触 GAN_HEMT器件 刻蚀 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章军云
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS PHEMT 低噪声放大器 光刻机 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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