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周琦

作品数：8 被引量：12H指数：2
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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  • 1个东莞电子科技...

资助

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传媒

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地区

  • 12个四川省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈万军
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：氮化镓 击穿电压 IGBT 脉冲放电 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
鲍旭
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 功率二极管 ALGAN/GAN 二维电子气 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
施媛媛
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率二极管 刻蚀 栅控 栅极 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪玲
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：槽栅 ALGAN/GAN 氮化镓 功率二极管 结终端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨超
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 复合沟道 氟离子 增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏杰
供职机构：电子科技大学
研究主题：关断损耗 导通压降 HEMT器件 漂移区 导通
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡金勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 槽栅 功率半导体器件 SOI 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗小蓉
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 SOI LIGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范远航
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 SOI 半导体功率器件 槽栅 MOSFET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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