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胡永强

作品数：13 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

  • 19个江苏省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
罗静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：背栅 集成电路 ESD保护结构 版图 硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周昕杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 版图 抗辐射 EEPROM 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛忠杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 MOS管 ESD保护结构 硅膜 总剂量辐射效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹文英
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：MOS管 版图 总剂量辐射效应 布局布线 保护环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐睿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路结构 锁存 PROM 编程 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周毅
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：ESD保护结构 偏置 衬底 延时电路 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周晓彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 场区 ESD SOI工艺 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘永灿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：存储器测试 标准单元库 FIFO SRAM SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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