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- 一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化被引量：1
- 2014年
- 研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。
- 禹玥昀林宏赵同林狄光智石艳玲
- 关键词：SPICE模型可靠性
- 基于高低压CMOS兼容工艺Bsim3v3模型参数提取的研究
- 智能功率集成电路(SPIC)广泛应用于汽车电子、家用电器和工业控制等领域，SPIC的出现对于实现系统的小型化、智能化、提高系统可靠性、降低体积重量和成本有着重大意义。 本文涉及的课题就是一种新型 SPIC的设计。SPI...
- 刘超
- 关键词：集成电路遗传算法
- 基于BSIM3v3模型参数提取
- 2011年
- 对于当前的集成电路设计技术，计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟器中所采用的器件模型参数的准确性。本论文选取目前业界占主流地位的BSIM3（Berkeley Short—channel IGFET Model）为将要提取的模型，
- 杨兵
- 关键词：模型参数提取BSIM3V3集成电路设计大规模集成电路CHANNEL
- A NEW BSIM3V3 SPICE MODEL FOR RELIABILITY OF HOT CARRIER INJECTION EFFECT IN MOSFET
- THIS PAPER REPORTS A NEW BSIM3V3 SPICE RELIABILITY MODEL FOR DESCRIBING THE RELIABILITY OF HOT CARRIER INJECTI...
- YUEYUN YU XI LI YANLING SHI WEI ZHOU ZHENG REN ZHANGPENG DENG SHAOJIAN HU YI TANG
- 文献传递网络资源链接
- 基于BSIM3V3模型的E类CMOS功率放大器设计
- 2010年
- 为减小功率放大器的尺寸和提高放大器的效率,可以利用晶体管的漏端寄生结电容作为E类射频功率放大器的分流电容。文章提出根据晶体管漏体寄生结电容来设计E类CMOS功率放大器,在BSIM3V3漏体结电容模型的基础上,分析了漏端边缘电容对设计的影响,同时,采用数据拟合来降低计算复杂度。仿真结果表明,该方法可运用于实际设计。文章的研究为低功耗E类CMOS功率放大器的小型化设计提供了一种新的方法,具有一定的应用参考价值。
- 陈远均徐建城王婵媛
- 关键词：功率放大器CMOS寄生电容
- BSIM3v3模型关键参数提取的研究被引量：1
- 2008年
- BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果.
- 李盛峰李斌郑学仁
- 关键词：MOSFETBSIM3V3HSPICE运放
- 高压MOSFET的BSIM3 I-V模型研究与改进
- 随着集成电路飞速发展和集成电路制造工艺水平的提高，芯片的集成度越来越高，同时也对新的集成电路设计与制造提出了更高的要求，其中包括应用日益广泛的高压集成电路。高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路...
- 任铮
- 关键词：BSIM3模型SPICE
- 文献传递
- 用作射频仿真的BSIM3v3改进模型
- 2006年
- 该文介绍了BSIM3模型直流参数提取的过程以及在RF下模型的改进情况。首先简要介绍了BSIM3模型的发展情况,然后根据BSIM3用户手册,对BSIM3的一些直流参数进行了提取以及优化,同时给出了参数优化后的仿真曲线与测试曲线的对比。随着器件工作频率的提高,原有的模型不能满足电路设计精度的要求,该文对BSIM3模型进行了改进,增加了栅极电阻模拟分布传输线效应和非准静态效应;增加衬底电阻网络,减少高频情况下对Y12,Y22参数的影响;增加电感和电容模拟引线以及各极之间的寄生效应。最后给出了模型改进前后与测试的S参数的对比曲线。
- 谷峰孙玲玲刘军
- 关键词：射频
- 基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)
- 2006年
- 提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性。
- 李瑞贞韩郑生
- 关键词：SOIMOSFET物理模型
- 用作射频仿真的BSIM3v3改进模型
- 该文介绍了BSIM3模型直流参数提取的过程以及在RF下模型的改进情况。首先简要介绍了BSIM3模型的发展情况,然后根据BSIM3用户手册,对BSIM3的一些直流参数进行了提取以及优化,同时给出了参数优化后的仿真曲线与测试...
- 谷峰孙玲玲刘军
- 关键词：射频
- 文献传递
相关作者
- 谷峰
- 作品数：2被引量：0H指数：0
- 供职机构：杭州电子科技大学
- 研究主题：BSIM3V3 射频仿真 射频
- 孙玲玲
- 作品数：488被引量：320H指数：8
- 供职机构：杭州电子科技大学
- 研究主题：介质基片 背腔 无缝集成 极化天线 共面波导
- 刘军
- 作品数：190被引量：99H指数：5
- 供职机构：杭州电子科技大学
- 研究主题：背栅 SOI工艺 射频开关 毫米波 螺旋电感
- 丁瑞军
- 作品数：241被引量：331H指数：10
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：碲镉汞 红外焦平面 读出电路 红外焦平面探测器 红外探测器
- 陈峰
- 作品数：18被引量：2H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学
- 研究主题：传感器节点 硬件任务 开销 现场可编程门阵列 实时操作系统
