搜索到80篇“ CZSI“的相关文章
- CzSi晶体生长传热特性的数值研究
- 2014年
- 在提拉法晶体生长中,坩埚内的熔体受到多种驱动力的作用,主要包括:由熔体内部温差驱动的浮力、自由表面温度梯度导致的热毛细力、坩埚和晶体旋转产生的离心力和科里奥力,因而坩埚内的熔体流动表现出复杂的非线性流动状态.通过数值计算,模拟熔体内的对流流动、温度分布及晶体生长界面的形态,研究了晶体生长过程中,热质传输从对称到非对称的演化以及对流对固液面表面造成的影响.
- 张晶程桂平饶婷婷
- 关键词：晶体生长数值模拟
- 基于数值模拟的CZSi单晶收尾控制参数研究被引量：1
- 2010年
- 采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递。解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径猛然收缩)的成因,指出了改进收尾形状的方法,研究结果对于合理设定直拉硅单晶收尾工艺参数具有一定的参考意义。通过对比试验,仿真计算结果与单晶炉实验测试结果相吻合。
- 赵跃刘丁陈德伟王蕾
- 关键词：直拉硅单晶收尾有限元数值模拟
- Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究被引量：2
- 2008年
- 对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据。
- 任丙彦李洪源张燕张兵郭贝
- 关键词：CZSI有限元热对流
- Φ200 mm太阳能级CZSi单晶生长速率的数值模拟研究
- 目前,太阳能光伏产业主要向两个方向发展:/(1/)降低成本;/(2/)提高光电转换效率。而提高硅单晶的单产则是降低成本中极其重要的环节,通过增大投料量,扩大晶体直径固然能够提高单产,但是大投料使得大熔体中的自然对流进一步...
- 李洪源
- 关键词：导流系统温度梯度
- 文献传递
- 掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响
- 2006年
- 研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少.
- 郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英
- 关键词：CZSIFPDS
- 快中子辐照直拉硅中V_2的FTIR研究
- 2006年
- 通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响。实验结果表明随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失。
- 辛少波梁小平徐学文王小会
- 关键词：直拉硅快中子辐照退火
- 深亚微米级集成电路用大直径CZSi单晶中微缺陷的研究
- 随着集成电路的飞速发展,特征尺寸不断缩小,对硅材料质量提出了越来越高的要求,当衬底材料的缺陷尺寸为ULSI特征线宽的1/3以上时,就成为致命的缺陷,会导致器件失效.如今在大直径直拉硅单晶中存在的空洞型原生微缺陷已成为影响...
- 郝秋艳
- 关键词：FPDS
- 复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响被引量：6
- 2005年
- 对Φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单晶氧含量的机理.实验表明本文采用的复合式热屏和氩气流场可以提高拉速,降低硅单晶氧含量.
- 任丙彦赵龙傅洪波曹中谦张学强
- 关键词：热屏氧含量温度梯度拉速
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- 直拉硅片杂质缺陷的控制与利用被引量：1
- 2004年
- 简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容.
- 李养贤郝秋艳杨帅马巧云
- 关键词：中子辐照直拉硅
相关作者
- 张维连
- 作品数：82被引量：143H指数：7
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院
- 研究主题：CZSI 掺锗 直拉硅 退火 锗
- 孙军生
- 作品数：23被引量：39H指数：4
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院材料物理系
- 研究主题：CZSI 掺锗 锗 氧 晶体生长
- 牛新环
- 作品数：126被引量：324H指数：9
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：化学机械抛光 CMP 抛光液 去除速率 碱性抛光液
- 吕海涛
- 作品数：10被引量：31H指数：2
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所
- 研究主题：掺锗 CZSI 直拉法 锗 晶体生长
- 蒋中伟
- 作品数：12被引量：19H指数：2
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：掺锗 直拉法 CZSI SIGE合金 热导率
