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一种p-GaN HEMT器件及制备方法: 本发明提供一种p‑GaN HEMT器件及制备方法，衬底层；设于衬底层上的缓冲层，缓冲层的远离衬底层的一侧面设有P型掺杂区；设于缓冲层上的沟道层，沟道层与P型掺杂区接触；设于沟道层上的势垒层、源极以及漏极，源极与漏极设于势...; 赵宇轩张敬伟敖松泉徐长坡张新玲程研刘闯

P型GaN HEMT器件及其制备方法: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种P型GaN HEMT器件及其制备方法。P型GaN HEMT器件包括纵向自下而上依次设置的本征碳化硅衬底、GaN缓冲层以及n型GaN层；还包括：在n型GaN层上横向水平设置的本征Ga...; 冯开勇王刚杨光

一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除...; 吴小明胡民伟王立李东熙刘海荣王伟刘璐江风益

一种p-GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法: 本发明公开了一种p‑GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法，该方法可用于电学偏置下p‑GaN HEMT器件阈值电压瞬态变化测量。在栅极电压偏置施加和瞬态阈值电压测试之前，设计并增加了对采样电流引入瞬态电压变化的测...; 潘世杰冯士维鲁晓庄冯子璇张博阳

一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件: 本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔...; 高升黄义王书恒池天宇严宏宇吴艳君

p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位...; 李胜马岩锋何乃龙刘斯扬刘梦丽张森肖魁林峰孙伟锋

增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究: 2025年; 阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。; 鲍诚王登贵任春江周建军倪志远章军云; 关键词：P-GAN 阈值电压热应力

一种基于物理引导神经网络的p-GaN栅HEMT建模方法: 本发明涉及氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)紧凑型建模领域，针对p‑GaN栅HEMT紧凑型模型开发的难题，提供一种基于物理引导神经网络(Physics‑guided Neural Network，PGNN)的p...; 汪洁刘岑松王大威游淑珍

一种P-GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑GaN材料嵌入式结构的深紫外LED芯片及其制备方法，包括下列步骤：制备得到外延层；通过ICP刻蚀外延层；通过ICP刻蚀P‑AlGaN薄膜，刻蚀P‑AlGaN薄膜的区域为...; 王充张晓娜李勇强俄文文纪银星

栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响: 2025年; 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响。栅极介质层采用5 nm厚的原位生长AlN,AlN/p-GaN界面呈现出更明显的能带弯曲和更宽的耗尽区,有利于阈值电压向正向偏移,且其相对较宽的能带错位有助于抑制栅极电流。实验结果表明:与栅极非覆盖区长度为0μm和6μm的MIS栅极相比,非覆盖区长度为3μm的MIS栅极可提高器件综合性能,有效抑制正向栅极电流,将阈值电压提高至3 V,并较好地保持电流密度为46 mA/mm;栅极结构中两侧没有栅极覆盖的区域在导通过程和导通状态下均可引起较大的沟道电阻,且沟道电阻随着非覆盖区长度增加而上升。; 都继瑶

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