国家自然科学基金(60176013)
- 作品数：8 被引量：48H指数：5
- 相关作者：张卫卢红亮任杰徐敏曾磊更多>>
- 相关机构：复旦大学上海大学罗门哈斯电子材料有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海-AM基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：7
- 2007年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。
- 徐赛生曾磊张立锋张炜张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率晶粒尺寸表面粗糙度
- 集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：6
- 2008年
- 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
- 徐赛生曾磊张立锋顾晓清张卫汪礼康
- 关键词：铜互连X射线衍射添加剂
- 四角晶相HfO_2(001)表面原子和电子结构研究被引量：5
- 2006年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会产生重构现象.与体相电子结构相比,t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度.t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
- 卢红亮徐敏陈玮任杰丁士进张卫
- 关键词：密度泛函理论表面电子结构
- 集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量：10
- 2006年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
- 曾磊徐赛生张立锋张玮张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率X射线衍射
- 原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展被引量：3
- 2005年
- 原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景。本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展。
- 卢红亮徐敏张剑云陈玮任杰张卫王季陶
- 关键词：金属氧化物薄膜高K材料
- 铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文)
- 2006年
- 用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层.
- 张卫朱莲孙清清卢红亮丁士进
- 关键词：低介电常数介质FTIRSIMS
- 一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了0.13μm1.2V/2.5VCMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.
- 张剑云李建郭亚炜沈泊张卫
- 关键词：开关电容电路导通电阻MOS开关
- 原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究被引量：18
- 2006年
- 以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的Al2O3．FTIR分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm．
- 卢红亮徐敏丁士进任杰张卫
- 关键词：AL2O3薄膜
