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国家重点基础研究发展计划(G2000036501)

作品数：12 被引量：13H指数：3
相关作者：张兴黄如田立林李志坚王曦更多>>
相关机构：北京大学清华大学中国科学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 5篇SOI
  • 3篇热阻
  • 3篇自热效应
  • 3篇DSOI
  • 2篇电路
  • 2篇英文
  • 2篇热导率
  • 2篇MOSFET
  • 2篇场效应
  • 1篇低能离子
  • 1篇低能离子注入
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇动力学
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇栅介质
  • 1篇体效应
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇全对称

机构

  • 7篇北京大学
  • 5篇清华大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 7篇黄如
  • 7篇张兴
  • 5篇李志坚
  • 5篇田立林
  • 4篇何平
  • 4篇王曦
  • 3篇刘理天
  • 3篇陈猛
  • 2篇林羲
  • 2篇董业明
  • 2篇于民
  • 2篇王阳元
  • 2篇董业民
  • 1篇何进
  • 1篇陈宝钦
  • 1篇王文平
  • 1篇张国艳
  • 1篇张皓
  • 1篇刘文安
  • 1篇任黎明

传媒

  • 10篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 1篇2006
  • 5篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI MOSFET的失真行为(英文)
2003年
采用幂级数方法对基于全耗尽 (FD)SOIMOSFET和凹陷 (RC)沟道SOIMOSFET的失真行为进行了研究 ,发现随着沟道长度的减小失真行为变坏 ,且RCSOI器件较FD器件具有更好的失真行为 .同时 ,从实验数据可以看出 ,不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏 .
张国艳黄如张兴王阳元
关键词：幂级数SOIMOSFET
采用全对称测试结构的超薄单晶硅薄膜热导率测量被引量：1
2006年
改进了传统稳态加热法的测试结构,设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构,并使用有限元工具对测试结构进行了优化.测量了室温下50和80nm厚度的单晶硅薄膜的横向热导率,分别为32和38W/(m.K),其相对体硅热导率(148W/(m.K))有明显下降,实验结果与BTE(Boltzmann transport equation)的理论预测曲线吻合得很好.
张皓吕志超田立林谭志敏刘理天李志坚
关键词：热导率
SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量
2003年
提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 .
何平刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦
关键词：SOISIMOX热导率边界热阻
纳米级精细线条图形的微细加工被引量：3
2004年
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30 nm精细线条图形 .
任黎明王文平陈宝钦周毅黄如张兴
关键词：微细加工电子束光刻邻近效应校正ICP刻蚀
DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较被引量：3
2003年
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势。DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件。
林羲董业民何平陈猛王曦田立林李志坚
关键词：DSOISOI绝缘体上硅自热效应浮体效应场效应器件
采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性(英文)被引量：2
2003年
通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .
林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦
关键词：场效应晶体管DSOISOI自热效应热阻
亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制被引量：3
2004年
利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 .
刘文安黄如张兴
一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)被引量：1
2003年
为了克服传统 SOI器件的浮体效应和自热效应 ,采用创新的工艺方法将低剂量局域 SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合 ,实现了 DSOI结构的器件 .测试结果表明 ,该器件消除了传统 SOI器件的浮体效应 ,同时自热效应得到很大的改善 ,提高了可靠性和稳定性 .而原先
何平江波林曦刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦
关键词：DSOISOI自热效应热阻
对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
2002年
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。
杨胜齐何进黄如张兴
关键词：KINK效应集成电路
一个描述硅原子团簇退火行为的模型
2004年
在考虑硅原子团簇的尺寸对其俘获半径的影响的基础上提出了一个改进的模型 ,来描述团簇的退火行为 ,并给出了点缺陷的表面复合速率的表达式 .为了验证此模型 ,给出了动力学蒙特卡洛方法的模拟结果 ,模拟结果与实验结果相吻合 .通过表面复合速率的模拟结果和模型的对比 ,模型得到了验证 .
于民黄如张兴王阳元Kunihiro SuzukiHideki Oka
关键词：退火硅
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