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小型高速水洞实验段形状对流场影响的数值模拟被引量：3: 2012年; 介绍小型高速水洞的设计原则,在现有圆形水洞的基础上,建立2种实验段截面为方形的水洞模型;利用Fluent对3种模型的收缩段和实验段流场进行对比。结果表明,当实验段的截面由圆形改为其内接正方形时,满足流速不均匀度小于1%的区域缩小为原来的0.6倍;在实验段入口前添加过渡段,增加收缩段出口到实验段入口的距离,可以降低实验段的湍流度。; 张岩汪家道陈大融; 关键词：流体力学

高速下弹流润滑膜厚性质的实验与数值计算结果比较: 本文利用光干涉法测量高速纯滚动弹流润滑下的中心膜厚性质,数值计算膜厚结果与实验结果基本吻合。但高速下其膜厚远远低于HD公式预测值。膜厚降低主要由热效应引起。环境温度和速度是影响热效应的重要因素,从而影响膜厚和压力分布。; 梁鹤郭丹雒建斌; 关键词：热效应; 文献传递

氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究: 2012年; 应用分子动力学模拟方法研究了氧化硅团簇在不同的切削深度下切削单晶硅粗糙峰的过程,考察了切削过程中粗糙峰和氧化硅团簇形态变化、团簇的受力状况、粗糙峰原子配位数和温度分布等.模拟结果表明:切削深度小于0.5 nm时,被去除的材料以原子或者原子簇形式存在,并黏附在颗粒表面被带走;当切削深度增大至1 nm,材料的去除率增大,并形成大的切屑.在切削过程中,由于压力和温度的升高,粗糙峰切削区域的单晶硅转变为类似Si-Ⅱ相和Bct5-Si相的过渡结构,在切削过程后的卸载阶段,过渡结构由于压力和温度的下降转变为非晶态结构.; 司丽娜郭丹雒建斌; 关键词：单晶硅分子动力学模拟超精密加工

300mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现被引量：8: 2014年; 在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术。针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技术研究。研制出300 mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统,该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能,每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测;压力控制系统性能测试结果表明,该系统可实现689.5 Pa的超低压力,其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求;开发了300 mm晶圆超低压力CMP样机,创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程,并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明:抛光压力为15.169 kPa时,材料去除率达671.3 nm/min,片内非均匀性为3.93%。; 王同庆路新春赵德文门延武何永勇; 关键词：化学机械抛光

抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究被引量：6: 2013年; 利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大.; 王同庆韩桂全赵德文何永勇路新春; 关键词：化学机械抛光抛光垫 300MM晶圆铜互连材料去除率非均匀性

铜化学机械抛光材料去除机理的准连续介质法研究: 2011年; 采用准连续介质力学方法研究了铜化学机械抛光过程的机械作用材料去除机理.模拟了不同大小磨粒在单晶铜工件上的磨削过程,分析了切削过程中工件内部材料变形、切屑的形成以及工件内部应力分布和切削力变化.研究结果表明,工件内部材料沿着与切削方向约45°变形形成剪切带,在剪切带区域伴随有位错、滑移等现象产生.磨粒较小时加工后的表面质量较差,磨粒较大时加工质量较好,但会造成工件内部较大的塑性变形与更深的残余应力分布.磨粒尺寸变化对于切向切削力影响不大.; 朱爱斌路新春张浩陈渭谢友柏; 关键词：化学机械抛光单晶铜残余应力

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创新研究群体科学基金(51021064)