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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(E2005000042)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：刘彩池张帷郝秋艳滕晓云赵丽伟更多>>
相关机构：河北工业大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇GAN
  • 1篇中位
  • 1篇位错
  • 1篇SEM
  • 1篇SI衬底
  • 1篇SI基
  • 1篇GAN基材料
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇河北工业大学

作者

  • 2篇赵丽伟
  • 2篇郝秋艳
  • 2篇刘彩池
  • 2篇滕晓云
  • 1篇张帷
  • 1篇徐岳生
  • 1篇孙世龙

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Si基外延GaN中位错的分布
本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播。利用湿法腐蚀有效地显示了CaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头。在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,表明外延生长过程中位错密度逐渐降低,它是由于GaN...
赵丽伟刘彩池滕晓云郝秋艳孙世龙徐岳生
关键词：GAN位错SEM
文献传递
Si衬底GaN基材料及器件的研究被引量：3
2006年
GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。
滕晓云刘彩池郝秋艳赵丽伟张帷
关键词：GANSI衬底
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共1页<1>
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