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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(E2005000042)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:刘彩池张帷郝秋艳滕晓云赵丽伟更多>>
相关机构:河北工业大学更多>>
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领域

  • 5个电子电信
  • 5个理学
  • 4个金属学及工艺
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主题

  • 5个原子力显微镜
  • 5个湿法化学腐蚀
  • 4个大直径
  • 4个单晶
  • 4个氮化镓
  • 3个氮化
  • 3个氮化物
  • 3个氮化镓薄膜
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  • 3个电池
  • 2个单晶硅
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  • 2个氮化硅
  • 2个等离子体增强
  • 2个等离子体增强...
  • 2个碘化
  • 2个碘化铅
  • 2个电导
  • 2个电导率
  • 2个电极

机构

  • 5个河北工业大学
  • 2个深圳大学
  • 2个天津工业大学
  • 1个河北工学院
  • 1个河北大学
  • 1个天津大学
  • 1个浙江大学

资助

  • 5个河北省自然科...
  • 5个教育部“新世...
  • 4个国家自然科学...
  • 4个天津市自然科...
  • 4个河北省教育厅...
  • 3个广东省粤港关...
  • 2个国家高技术研...
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  • 1个国防科技技术...
  • 1个国家科技支撑...
  • 1个教育部科学技...
  • 1个天津市21世...
  • 1个天津市科技计...
  • 1个河北省应用基...

传媒

  • 5个半导体技术
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  • 5个现代仪器
  • 5个液晶与显示
  • 5个第十届固体薄...
  • 5个中国有色金属...
  • 4个物理学报
  • 4个人工晶体学报
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  • 4个华北地区硅酸...
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  • 3个光学学报
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  • 3个第十二届全国...
  • 2个硅酸盐通报
  • 2个太阳能学报
  • 2个硅酸盐学报
  • 2个中国科学(A...

地区

  • 4个天津市
  • 1个河北省
5 条 记 录,以下是 1-5
张帷
供职机构:河北工业大学材料科学与工程学院
研究主题:GAN薄膜 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD 缓冲层
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刘彩池
供职机构:河北工业大学
研究主题:GAN 大直径 硅 微缺陷 SI-GAAS
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郝秋艳
供职机构:河北工业大学
研究主题:大直径 GAN 微缺陷 硅单晶 直拉硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽伟
供职机构:河北工业大学
研究主题:GAN SI基 氧沉淀 V 硅单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
滕晓云
供职机构:河北大学物理科学与技术学院
研究主题:ZNO薄膜 GAN 脉冲激光沉积 氧分压 SI基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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