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国家重点基础研究发展计划(2000036501)

作品数：6 被引量：8H指数：2
相关作者：黄如张国艳王文平田豫陈国良更多>>
相关机构：北京大学加利福尼亚大学更多>>
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地区

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共 8 条 记 录，以下是 1-8
黄如
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 沟道 存储器 晶体管 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田豫
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 超大规模集成电路 刻蚀 栅结构 新器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文平
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 阈值电压 漂移 电流开关 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国艳
供职机构：北京大学
研究主题：压控振荡器 有源器件 SOI 集成电感 品质因子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何进
供职机构：北京大学深圳研究生院
研究主题：场效应晶体管 纳米线 击穿电压 英文 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王阳元
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张兴
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈国良
供职机构：北京大学
研究主题：DTMOS MOSFET 纳米 动态阈值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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