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国家重点基础研究发展计划(2000036501)
作品数:
6
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黄如
张国艳
王文平
田豫
陈国良
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黄如
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 沟道 晶体管 存储器 超大规模集成电路
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田豫
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 超大规模集成电路 刻蚀 栅结构 新器件
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王文平
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 阈值电压 漂移 电流开关 栅氧化层
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张国艳
供职机构:北京大学
研究主题:压控振荡器 有源器件 SOI 集成电感 品质因子
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何进
供职机构:北京大学深圳研究生院
研究主题:场效应晶体管 纳米线 栅氧化层 击穿电压 隧穿
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王阳元
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 逻辑器件 沟道 SOI 集成电路
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张兴
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗
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陈国良
供职机构:北京大学
研究主题:DTMOS MOSFET 纳米 动态阈值
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