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国家自然科学基金(61234006)

作品数：22 被引量：32H指数：3
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地区

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共 18 条 记 录，以下是 1-10
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段宝兴
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁嵩
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率模块 漂移区 异质结场效应晶体管 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁小宁
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 表面电场 场效应管 电场分布 JUNCTION
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹震
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春来
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 比导通电阻 埋层 场效应管 表面电场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓小川
供职机构：电子科技大学
研究主题：碳化硅 MOSFET器件 槽栅 击穿电压 接触区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周琦
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：增强型 氮化镓 功率器件 ALGAN/GAN_HEMT P-GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭海军
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：表面电场 GA ALGAN/GAN AL 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈敬
供职机构：香港科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 场效应晶体管 沟道 晶体管 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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