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国家高技术研究发展计划(2006AA04Z339)

作品数：4 被引量：9H指数：2
相关作者：赵永梅宁瑾赵万顺王雷孙国胜更多>>
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共 14 条 记 录，以下是 1-10
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁瑾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 碳化硅材料 半导体激光器 微通道 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康中波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：亚微米 RFMEMS RF_MEMS 滤波器 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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