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国家自然科学基金(60606013)

作品数：3 被引量：2H指数：1
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夏志良
供职机构：北京大学
研究主题：MOSFET 多栅 短沟效应 三维模拟 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩汝琦
供职机构：北京大学
研究主题：MOS晶体管 掺杂 存储器 半导体 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾朗
供职机构：北京大学微电子学研究院
研究主题：DRAIN THRESHOLD_VOLTAGE SOURCE SCHOTTKY_BARRIER DOUBLE-GATE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐博卷
供职机构：北京大学
研究主题：超深亚微米 场效应晶体管 MOSFET器件 DRAIN THRESHOLD_VOLTAGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜刚
供职机构：北京大学
研究主题：集成电路技术 像素 电路 半导体器件 传感器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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