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国家高技术研究发展计划(2006AA03A141)

作品数：3 被引量：6H指数：2
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
邓珂
供职机构：中国科学院沈阳自动化研究所
研究主题：SEC 面向对象编程 面向对象 设计模式 S-
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金属有机物 托盘 MOCVD 温度均匀性 流场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨翠柏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：成核 氮化镓 晶体质量 掺杂 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王宏
供职机构：东北大学机械工程与自动化学院
研究主题：现场总线 脑电信号 脑电 脑-机接口 工业以太网
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯洵
供职机构：西安交通大学
研究主题：金刚石 单晶金刚石 光电阴极 多模叠加态光场 飞秒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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