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国家重点基础研究发展计划(2007CB935302)

作品数：17 被引量：72H指数：5
相关作者：谢常青朱效立刘明马杰陈宝钦更多>>
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领域

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资助

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共 44 条 记 录，以下是 1-10
谢常青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱效立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束直写 衍射效率 衍射光学元件 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 MM 衍射效率 透射光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝钦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 电子束曝光 电子束直写 抗蚀剂 电子束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈军宁
供职机构：安徽大学
研究主题：反相器 灵敏放大器 电路 SRAM 电路结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 衬底 衍射光栅 自支撑 大高宽比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊峰
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
研究主题：波带片 单级 衍射光栅 软X射线 光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张庆钊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：启辉 原子层沉积 等离子体 刻蚀工艺 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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