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国家高技术研究发展计划(2001AA312070)

作品数：5 被引量：3H指数：1
相关作者：张峰王永进程新利陈志君林志浪更多>>
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领域

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地区

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共 13 条 记 录，以下是 1-10
王永进
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：波导 反应离子刻蚀 制作方法 掺ER 沉积速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：注氧隔离 SOI 高温退火 波导 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新利
供职机构：苏州科技大学
研究主题：非晶薄膜 极板 敏感元件 谐振电抗器 FE-ZR-B
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖海波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER AL ER 富硅氧化硅 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志君
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER 波导 ER 反应离子刻蚀 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林志浪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：波导 反应离子刻蚀 原位合成 烧结助剂 制作方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昌盛
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER ER 富硅氧化硅 光致发光 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 注氧隔离 SIMON 氧 高温退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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