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晶能光电(江西)有限公司
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353
被引量:63
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邱冲
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2009
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2008
2篇
2007
1篇
2006
共
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装片篮
1.后视图、左视图、右视图与主视图相同,省略后视图、左视图和右视图。;2.此外观设计的产品的说明:用于盛装LED外延片,将圆形的外延片置入装片蓝内的栅格槽中,然后将篮子放入磷酸槽内进行腐蚀,此产品是生产硅衬底LED芯片中...
李迪
徐小红
王健荣
封波
深紫外LED芯片制备方法
本发明提供了一种深紫外LED芯片制备方法,包括:S1在生长衬底上制作深紫外GaN层,深紫外GaN层包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层;S2于N电极处对深紫外GaN层进行蚀刻直至n型GaN层;S3分别于n型GaN层...
彭翔
文献传递
Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究
被引量:5
2010年
在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树脂的老化变黄;又能部分弛豫环氧树脂对芯片的张应力,降低非辐射复合中心产生的几率;有效减小器件的侧壁漏电通道,降低器件的光衰和漏电流,提高器件的可靠性。
刘军林
邱冲
江风益
关键词:
光电子学
SI衬底
光衰
增透膜
SION
一种GaN基薄膜芯片的生产方法
本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法,涉及半导体发光器件的制备工艺,用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层,形成外延层;刻蚀外延层;在外延...
朱浩
赵汉民
刘硕
曲晓东
闫占彪
周印华
陈栋
熊传兵
文献传递
LED裸芯测试用的LED支架处理方法
本发明涉及一种LED生产制造工艺,其公开了一种LED裸芯测试用的LED支架处理方法,包括固晶焊线工艺和切筋工艺,在进行所述固晶焊线工艺后进行绕线定型工艺;所述绕线定型工艺包括:在支架上筋与碗杯之间绕上芯线,用芯线将支架单...
刘卫华
熊细春
江余
李雄健
文献传递
我眼中的晶能“芯”
2010年
人们期望LED照明具有高电光转换效率、高可靠性能和低成本,只有这三个条件同时具备时半导体照明才能真正走向千家万户,造福人类。
江风益
关键词:
电光转换效率
LED照明
半导体照明
可以装贴蓝膜铁圈的收纳盒
本实用新型提供一种可以装贴蓝膜铁圈的收纳盒,其用来装片状体,且在没有装片状体的时候可以叠加在一起,不占用空间。该收纳盒的盒体的侧边带有锥度,使盒体呈上端大,底部小的形状;盒体的上端口外侧有在两个收纳盒套叠在一起的时候起支...
蔡德晟
文献传递
在发光二极管晶粒表面制备荧光粉层的方法
本发明公开了一种在发光二极管晶粒表面制备荧光粉层的方法,涉及发光二极管生产过程中对发光二极管施加荧光粉的生产工艺,用于解决针对每个芯片精确施加荧光粉的问题,使产品的品质保持一致性。该技术方案包括:生成芯片数据文件的步骤:...
方文卿
文献传递
缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法
本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法,涉及半导体器件的制造方法,特别是涉及铟镓铝氮基半导体发光器件,其用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力,使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明方案包括:在生长衬底上外...
熊传兵
赵汉民
江风益
文献传递
高光效白光LED芯片
本实用新型提供了一种高光效白光LED芯片,包括:金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、高反胶以及荧光膜片;其中,金属电极设于LED芯片中电极焊盘表面;荧光膜片设于LED芯片的上表面,且荧光膜片的面积大于LED芯片表面的...
肖伟民
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