公共文化服务平台

浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所: 作品数：86 被引量：186H指数：7; 相关作者：丁扣宝李明亮黄大海彭成郭清更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学电子信息学院微电子CAD研究所杭州电子科技大学电子信息学院北京大学地球与空间科学学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程天文地球更多>>

合作机构

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现: 2010年; 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。; 韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤

大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计被引量：9: 2009年; 基于0.6μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CMOS工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用单电源供电,最高输出功率可达3W以上;单电源电压在4～7V范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能,驱动电流恒流失配度保持在3.09%以内;当标准5V电源有10%的变化时,驱动电流的变化可控制在1.42%之内,恒流失配度保持在2.84%以内;而当环境温度在10～90℃范围内变化,驱动电流最多增大1.75%,恒流失配度保持在3.15%以内。采用双电源供电时,芯片电源转换效率可达83%。; 郑晓东郭维朱大中; 关键词：恒流驱动

基于标准CMOS工艺的新型pH值传感器: 2009年; 基于0.6μmCMOS工艺设计了一种新型的pH值传感器。多晶硅和双层金属电极形成复合的悬浮栅结构,Si3N4钝化层作为敏感层。传感单元为W/L=500μm/20μm的PMOS管,其阈值电压随溶液pH值线性变化,并通过恒定PMOS管源漏电压和源漏电流控制电路转换成PMOS管源电压线性输出。PMOS管源电压线性输出范围达到4.6V,很好满足在不同pH值溶液中测试的要求。采用波长396nm紫外灯管照射来消除浮栅上电荷,增大阈值电压并有效调整溶液栅电压线性区工作范围。紫外照射后溶液栅电压可偏置在0V,减少溶液中噪声影响。CMOSpH值传感器的平均灵敏度为35.8mV/pH。; 施朝霞朱大中; 关键词：阈值电压

带有过温保护功能的1W白光LED驱动电路设计被引量：6: 2009年; 基于CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种具有过温保护功能的1 W温度传感LED恒流驱动电路。该电路由恒流驱动模块和温度传感模块组成,在电源电压为5V时能提供350 mA恒定驱动电流,并能在设定温度下关断功率MOS管,实现过温保护功能。恒流驱动模块采用比例电流采样方式,在电源电压正负变化10%范围内,驱动电流变化小于4.3%,温度传感模块利用PTAT(与绝对温度成正比)电压与基准电压比较,产生关断信号,关断温度在50℃—125℃范围内可由外接电阻设定。该芯片实现了温度传感模块和白光LED恒流驱动模块的单片集成,在LED照明技术中有一定的应用价值。; 杨幸郭维朱大中; 关键词：过温保护

一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法被引量：2: 2013年; 提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%～90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作为I-V曲线上的一点,从而得到电流-电压特性曲线。在此基础上,不仅可得到触发电压Vt1和维持电压Vh,而且可以获取二次击穿电流It2。对LSCR的仿真结果表明仿真结果与测试结果符合的很好。; 丁扣宝黄大海; 关键词：静电放电仿真多脉冲

GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 2013年; 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。; 梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁; 关键词：静电放电

高压VDMOS结终端技术研究: 功率VDMOSFET由于其优异特性而被广泛地应用于开关电源、汽车电子等领域,是功率器件的主流产品之一。功率VDMOS器件由于终端pn结的曲率效应,其高压阻断能力受到限制,为了提高高压阻断能力,结终端技术被广泛采用,是现代...; 胡佳贤韩雁张世峰张斌韩成功; 关键词：结终端场限环导通电阻功率器件终端结构; 文献传递

三阶级联∑△调制器的行为级建模: 基于高阶∑△调制的过采样调制器为超大规模集成电路中的高分辨率模拟-数字转换提供了一种有效方法.该文探讨一种用于数字音频模数转换器的CMOS∑△调制器的设计.采用一种三阶级联的结构,具有输入范围和动态范围大的特点.利用MA...; 马绍宇韩雁黄大海; 关键词：调制器噪声整形模数转换器行为级建模; 文献传递

2．4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计被引量：1: 2012年; 设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。; 梁海莲董树荣顾晓峰韩雁; 关键词：静电放电低噪声放大器可控硅寄生电容噪声系数

AC-PDP寻址驱动芯片的设计: 2006年; 根据PDP显示系统的要求,设计出一块适合PDP显示的寻址驱动芯片,同时在分析高压VD-MOS管和高压PMOS管结构特点的基础上,提出了实现PDP寻址驱动芯片的高压工艺流程及其基本参数。最后采用2.0μm的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺对芯片进行流片并对流出的芯片进行了测试分析,结果证明所设计的高压器件能满足PDP显示的实际要求。; 洪慧韩雁叶晓伟; 关键词：等离子显示器晶体管

浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所

合作机构

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所

合作机构

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈