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杭州电子科技大学电子信息学院微电子CAD研究所

作品数:163 被引量:281H指数:7
相关作者:许立岳彩发王传杰王晓晖庄世辉更多>>
相关机构:浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所浙江大学电气工程学院浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省重大科技专项基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 143篇期刊文章
  • 20篇会议论文

领域

  • 93篇电子电信
  • 53篇自动化与计算...
  • 11篇电气工程
  • 5篇机械工程
  • 3篇交通运输工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 25篇电路
  • 13篇集成电路
  • 10篇电路设计
  • 9篇电容
  • 9篇网络
  • 9篇传感
  • 7篇系统设计
  • 7篇滤波器
  • 6篇电弧
  • 6篇神经网
  • 6篇神经网络
  • 6篇总线
  • 6篇基带
  • 6篇标签
  • 5篇电容式
  • 5篇英文
  • 5篇故障检测
  • 5篇仿真
  • 5篇超高频
  • 4篇低功耗

机构

  • 163篇杭州电子科技...
  • 26篇浙江大学
  • 4篇杭州微纳科技...
  • 3篇东莞理工学院
  • 3篇浙江经贸职业...
  • 3篇UT斯达康
  • 3篇杭州士兰微电...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇滨州学院
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇浙江传媒学院
  • 1篇浙江工业职业...
  • 1篇浙江工商大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇浙江芬雪琳针...

作者

  • 57篇马琪
  • 30篇孙玲玲
  • 12篇陈科明
  • 12篇周磊
  • 11篇李文钧
  • 8篇董林玺
  • 8篇刘军
  • 7篇潘剑侠
  • 7篇竺红卫
  • 7篇李训根
  • 5篇黄海云
  • 5篇郭斌林
  • 5篇马骏
  • 5篇吕炳赟
  • 4篇刘华珠
  • 4篇屠炜
  • 4篇洪慧
  • 4篇吕丽华
  • 4篇肖自铧
  • 3篇秦兴

传媒

  • 27篇杭州电子科技...
  • 11篇现代电子技术
  • 10篇电子器件
  • 9篇物联网技术
  • 8篇Journa...
  • 6篇电子科技
  • 6篇计算机与现代...
  • 6篇电路与系统学...
  • 5篇光通信技术
  • 4篇工业控制计算...
  • 4篇机电工程
  • 4篇微电子学与计...
  • 4篇浙江大学学报...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇微电子学
  • 3篇浙江省电子学...
  • 2篇计算机时代
  • 2篇计算机应用与...
  • 2篇计算机系统应...
  • 2篇传感技术学报

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 9篇2015
  • 8篇2014
  • 11篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 13篇2010
  • 17篇2009
  • 19篇2008
  • 19篇2007
  • 5篇2006
  • 14篇2005
  • 5篇2004
163 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于无线传感网的呼叫服务系统设计
基于IEEE 802.15.4协议的无线传感网络技术,并将其应用于无线呼叫服务系统。采用TI公司低功耗ZigBee网络收发芯片CC2430,电流损耗低于27mA,并且具备从休眠模式快速唤醒的功能。该文首先介绍了个人无线局...
杨峰孙玲玲汪大卓
关键词:自动化无线传感网呼叫系统
文献传递
基于FPGA的脉冲神经网络加速器设计被引量:3
2017年
脉冲神经网络是一种基于离散神经脉冲原理进行信息处理的人工神经网络,文中提出了一种基于FPGA的灵活可配的脉冲神经网络加速器架构,能够支持神经网络拓扑结构、连接权值的灵活配置。该设计首先在算法层对LIF神经元模型进行公式分解和浮点转定点两个层次的优化,并在硬件实现中采用时分复用技术将硬件中实现的8个物理神经元复用为256个逻辑神经元。神经元模电压计算采用三级流水线架构,以提高神经元数据处理效率。通过采用Xilinx XC6SLX45 FPGA实现整个神经网络加速器,工作频率可达50 MHz,并基于该加速器构建手写数字识别网络架构,实验结果表明,采用MNIST数据集作为测试样例,该网络架构准确率可达93%。
沈阳靖沈君成叶俊马琪
关键词:脉冲神经网络时分复用
一种新型的基于滑膜阻尼的电容式双向MEMS惯性传感器(英文)被引量:2
2008年
设计了一个新型的结构完全对称的双向MEMS电容式惯性传感器.该传感器主要由可动质量块、栅形条、支撑梁、连接梁、阻尼调整梳齿组成.设计的结构采用变电容面积的检测方式,在降低空气阻尼的同时也降低了对DRIE工艺的要求,并通过加大测试信号电压来降低电路噪声,从而提高传感器的分辨率.用有限元工具ANSYS详细讨论了传感器的参数和性能,并模拟验证了设计的双向传感器的交叉效应近似为零.制作了滑膜阻尼测试器件,在大气压下,测得的品质因子可达514 ,验证了该结构设计可以提高传感器的分辨率和该工艺设计的可行性.
董林玺颜海霞钱忺孙玲玲
关键词:电容式传感器惯性传感器高分辨率MEMS
偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析
2005年
为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。
董林玺孙玲玲王跃林
关键词:电容式传感器惯性传感器偏置电压极性
基于网络划分和并行运算的P/G布线网络快速分析算法
2008年
提出了一个基于网络划分和分布式并行运算的P/G网快速验证方法。对于各子网运算,采用带加速子网运算策略的Cholesky分解法;并根据各个子网运算相互独立的特点,采用基于MPI(Message Passing Interface)的并行结构对子网络运算进行分布式并行运算。实验证明,该快速验证方法在运算时间和内存占用上效果十分良好。
马琪蒋平陈树毅李春强张敏
关键词:MESH结构P/G网CHOLESKY分解MPI
光学仿真算法的CAD系统实现
2009年
随着光电子集成和各种平面波导器件的集成度、复杂度越来越高以及光器件的结构越来越精密,用解析的方法对器件进行分析和设计已经无法实现。为实现光学器件的良好设计,以有限差分光束传播法(FD-BPM)为仿真算法开发了光学芯片仿真软件,实现了光波导器件的模拟仿真。由该仿真结果与Matlab仿真结果的对比可知,该仿真软件能达到显示波导状态的基本要求。
刘剑孙玲玲卢山鹰周磊
关键词:有限差分光束传播法折射率分布
90nm工艺互连线CMP金属厚度偏离统计学分析(英文)
2009年
亚100纳米工艺下CMP在铜双大马士革工艺中导致的金属厚度偏离对互连线信号完整性具有严重影响。为实现90纳米工艺下互连线精确仿真,本文提出了一种新的互连线分析算法。该方法通过估计寄生参数分布的均值和方差,实现了金属厚度偏离对互连线性能影响的统计学分析。TCAD工艺仿真试验表明该方法可有效实现对90纳米工艺互连线的精确仿真。
周磊蒋立飞孙玲玲
关键词:CMP互连线
一个连续且解析的SOI LDMOS表面势模型(英文)被引量:1
2007年
提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程,得到了解析的以栅压和漏压为变量的SOI器件正、背硅/氧化层界面的表面势.修正了全耗尽状态下的反型层电荷和体电荷表达式,结合PSP的模型方程,给出连续解析的体接触SOI LD-MOS直流模型.仿真结果与实验数据比较,二者吻合得很好,表明该模型能精确表征SOI LDMOS直流特性.
徐文杰孙玲玲刘军李文钧张海鹏吴颜明何佳
关键词:SOILDMOS表面势PSP
标签分块技术在MPLS标签分配中的设计与应用被引量:1
2011年
在MPLS网络中,数据包被短而定长的标签所封装,并根据标签进行转发。本设计通过对MPLS标签空间按不同业务处理进行分块,并为每个业务内嵌独立的本地标签池,设计并实现了基于标签分块技术的MPLS标签分配技术方案。验证表明,该方案有效提高了MPLS标签的申请释放效率,简化了MPLS各种协议业务的处理流程,增加了报文转发效率。
何燕马琪
关键词:进程间通信MPLS
基于MET模型的VDMOSFET建模被引量:1
2015年
研究了VDMOS的独特结构,建立了适合该器件的拓扑结构,电容、源漏二极管和源漏电流方程,提出了一个基于MET模型的VDMOS模型。以Verilog-A语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中,基于Verilog-A的仿真结果可实现与测试数据的准确拟合。应用模型到士兰微电子S-Rin系列第三代高压VDMOS产品的建模中,工作电压涵盖500V、600 V、650 V和800 V,测量和仿真所得I-V,C-V特性曲线对比结果吻合很好,验证了模型具有良好的精度,可以表征VDMOS交直流特性。
韩山李文钧林煊刘军
关键词:VDMOSFREESCALEVERILOG-A
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