您的位置: 专家智库 > >

专用集成电路与系统国家重点实验室

作品数:217 被引量:340H指数:7
相关作者:武一宾孙素静李效白田国平邢东更多>>
相关机构:中国电子科技集团第十三研究所中国电子科技集团公司河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 26个电子电信
  • 6个理学
  • 5个自动化与计算...
  • 2个医药卫生
  • 2个一般工业技术
  • 1个经济管理
  • 1个核科学技术
  • 1个文化科学

主题

  • 12个电子迁移率
  • 12个迁移率
  • 11个晶体管
  • 10个GAAS
  • 9个二极管
  • 9个GAN
  • 7个SIC
  • 6个电路
  • 6个异质结
  • 6个肖特基
  • 6个SI衬底
  • 5个单片
  • 5个氮化镓
  • 5个电阻
  • 5个势垒
  • 5个碳化硅
  • 5个铝镓氮
  • 4个肖特基势垒
  • 4个肖特基势垒二...
  • 4个离子注入

机构

  • 32个专用集成电路...
  • 4个中国电子科技...
  • 3个河北半导体研...
  • 2个河北工业大学
  • 2个中国电子科技...
  • 1个复旦大学
  • 1个电子科技大学
  • 1个兰州大学
  • 1个石家庄铁道学...
  • 1个天津工业大学
  • 1个电子工业部
  • 1个中国电子科技...
  • 1个信息产业部
  • 1个中华人民共和...
  • 1个石家庄铁道大...

资助

  • 10个国家自然科学...
  • 4个国家部委资助...
  • 2个国防基础科研...
  • 2个国家重点基础...
  • 2个国家重点实验...
  • 2个中国人民解放...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个超高速专用集...
  • 1个国际科技合作...
  • 1个国家电网公司...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个河北省高等学...
  • 1个河北省教育学...
  • 1个河北省科技厅...
  • 1个河北省自然科...
  • 1个上海市教育委...

传媒

  • 20个半导体技术
  • 13个微纳电子技术
  • 4个Journa...
  • 4个真空科学与技...
  • 3个第十五届全国...
  • 3个2013‘全...
  • 2个中国医疗器械...
  • 2个河北工业大学...
  • 2个中国真空学会...
  • 2个2011’全...
  • 2个2014`全...
  • 2个中国真空学会...
  • 1个计算机安全
  • 1个光电子.激光
  • 1个科技通报
  • 1个半导体情报
  • 1个电子工艺技术
  • 1个物理学报
  • 1个湖南大学学报...
  • 1个甘肃科技

地区

  • 32个河北省
32 条 记 录,以下是 1-10
武一宾
作品数:37被引量:39H指数:4
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:共振隧穿二极管 GAAS 分子束外延 RTD MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙素静
作品数:22被引量:28H指数:3
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:水印算法 音频水印算法 音频水印 文本水印 金属有机化学气相沉积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李效白
作品数:20被引量:58H指数:3
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:HFET 集成电路 GAN 电流崩塌 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田国平
作品数:9被引量:10H指数:2
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:GAAS 砷化镓 GAAS_PHEMT PHEMT 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢东
作品数:9被引量:9H指数:1
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:太赫兹 肖特基二极管 GAAS 倍频器 IN0
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜夏正
作品数:8被引量:2H指数:1
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:分子束外延 共振隧穿二极管 量子效应 隧穿 X射线双晶衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁士雄
作品数:7被引量:8H指数:1
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:倍频器 太赫兹 肖特基势垒二极管 串联电阻 寄生电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
作品数:7被引量:9H指数:1
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:SI衬底 氮化镓 功率密度 异质结 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭艳敏
作品数:6被引量:2H指数:1
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:HEMT GAN材料 ALGAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何庆国
作品数:5被引量:9H指数:2
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:单片功率放大器 大功率 SIC_MESFET 内匹配 电路研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共4页<1234>
聚类工具0