代永平
- 作品数：174 被引量：276H指数：9
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 一种由3个PMOS晶体管构成的有源OLED像素单元电路
- 一种由3个PMOS晶体管构成的有源OLED像素单元电路，主要由第1‑PMOS晶体管、第2‑PMOS晶体管和第3‑PMOS晶体管组成；其中，第1‑PMOS晶体管和第3‑PMOS晶体管形成电学串联，第2‑PMOS晶体管与第3...
- 代永平刘艳艳李铭
- 文献传递
- 由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路
- 一种由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路，属于硅基液晶显示器芯片像素单元电路领域。该电路由同型的1个NMOS晶体管（19）和1个NMOS电容器（26）或由同型的1个PMOS晶体管（8）和一个PMOS电容器（...
- 代永平李明刘宇佳刘彐娇史景祎赵瑜刘艳艳
- 文献传递
- 采用6个彩色LED的6基色23英寸WXGA液晶显示器被引量：2
- 2005年
- 我们开发成功一种采用6个彩色LED的6基色液晶显示器,实现了具有170%色阈或者说比传统技术宽得多的6基色LCD。本研究是由日本新能源与工业技术发展机构(NEDO)组织进行的。
- Hiroaki SugiuraHideyuki KanekoShuichi KagawaMasahiko OzawaHideki TanizoeHiroshi KatouTarou KimuraHiroshi Ueno代永平
- 关键词：彩色LED液晶显示器基色LCD新能源
- 一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路
- 一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路，属于硅基液晶显示器像素单元电路领域。该电路，主要由1个CMOS传输门（27）和1个平板电容器（33）通过串联组成；其中，CMOS传输门（27）由1个NMOS晶体管和1个PM...
- 代永平李明刘彐娇刘宇佳史景祎赵瑜刘艳艳
- 文献传递
- AMOLED电视机商业化中的新兴技术
- 2010年
- AMOLED在材料、器件结构以及制造方面的发展为新一代电视机铺平了道路,新一代电视机拥有互动性、超轻超薄、绿色环保等特点。
- Hye Dong KimHyun-Joong ChungBrian H.BerkeleySang Soo Kim代永平
- 关键词：电视机
- 下一代固体发光技术
- 2010年
- 有机发光二极管(OLED)和无机发光二极管(LED)因其高效率、长寿命以及能够实现非传统光源所能及的创造性发光设计内容的特有形状因素,因此具备对照明产业的革命性潜力。文章是对能够用于固体发光(着重是OLED)的有机和无机发光二极管技术的总览。
- Jeffrey SpindlerTukaram K.HatwarSteven Van Slyke代永平
- 关键词：有机发光二极管
- 通用型平板显示控制器及其控制方法
- 本发明涉及一种平板显示器的结构和控制，特别是具有PWM波形发生器和可配置寄存器，可用于LCD、FED、PDP等各种显示器的控制，属于平板显示技术领域。目前平板显示器的外围控制电路都是采用可编程逻辑器件或专用电路ASIC来...
- 耿卫东代永平孙钟林刘艳艳
- 文献传递
- 硅基液晶(LCOS)与电光特性被引量：3
- 2010年
- 文章以向列相液晶的弹性理论和Jones矩阵方法为研究基础,给出了90°MTN模式的电压-反射率实验曲线,概述了硅基液晶(LCOS)所使用的反射式显示模式的电压开态特性。对红、绿、蓝三色光,给出了90°MTN和SCTN两种模式的电压-反射率特性曲线,强调了电压开态下的色散效应。对于5V的暗态工作电压,给出了TN-ECB-1和45°MTN两种模式对比度随盒厚的变化曲线。
- 范伟姜丽张志东代永平
- 关键词：硅基液晶反射率对比度色散
- 基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现被引量：12
- 2004年
- 介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点,并给出了相关电路的设计方案。
- 耿卫东张永利代永平孙钟林
- 关键词：硅上液晶电视微型显示器
- a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用
- 1999年
- 本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中，Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在ａ－Ｓｉ界面为反应速率限制，而在与Ｍｏ交界面则为扩散速率限制。互作用生成非晶态钼硅Ｍｏ：ａ－Ｓｉ合金。它可阻止铝（Ａｌ）向ａ－Ｓｉ中扩散，同时可改善ａ－ＳｉＴＦＴ的接触特性。当用Ａｌ／Ｍｏ作ａ－Ｓｉ薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）的源和漏电极时，可提高开关电流比达７～８个数量级。
- 赵颖熊绍珍王宗畔孟志国代永平周祯华张建军姚伦
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管
