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孙钟林

作品数：110 被引量：193H指数：9
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市科技攻关项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

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领域

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主题

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  • 15篇液晶显示器
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  • 6篇平板显示技术
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机构

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作者

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传媒

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  • 1篇应用化学
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2013
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  • 8篇2001
  • 2篇2000
  • 5篇1999
  • 5篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1992
共 110 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
EL-5825及其在微型显示系统中的应用被引量：6
2005年
介绍了可编程多通道TFT-LCD参考电压发生器专用电路EL-5825的工作原理、特点及应用。利用C8051F330单片机控制EL-5825设计了一种基于LCoS芯片的头盔显示系统电路,该设计方案具有电路结构简单、外围器件少、系统结构微型化等特点,有利于实现系统的轻便灵活,提高整机性能。介绍了硬件接口电路的设计方法,给出了单片机软件流程图。
耿卫东张永利刘艳艳代永平孙钟林
关键词：平板显示器TFT-LCD参考电压SPI串行接口
硅上液晶子场数据动态暂存场序彩色数据处理器
本发明涉及液晶显示处理，尤其是一种硅上液晶子场数据动态暂存场序彩色数据处理器，属于液晶显示技术领域。目前外围的示控制器仍旧采用通用电路和可编程逻辑器件来设计，不能满足系统微型化的要求，因此设计专用的高性能场序彩色显示控制...
耿卫东代永平孙钟林陆靖谷孟志国武玉华任立儒
文献传递
多晶硅薄膜后氢化的研究被引量：3
1995年
本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能。利用后氢化技术对poly－SiTFT器件进行了处理，获得了满意的效果。
耿新华于振瑞孙钟林徐温元
关键词：多晶硅
时序彩色LCoS数据接口的优化设计被引量：12
2006年
介绍一种在时序彩色LCoS微显示集成电路芯片内部运用的串入并出数据变换方法,即将外部串行输入的数据作并行输出处理,使得在同一时钟周期内可写入更多的像素数据,减少像素数据的写入时间,为液晶响应和光照留下更多的时间,保证图像亮度,提高图像显示质量。使用该方法可以节省芯片外部管脚数目,降低产品成本。该方法在单片和三片式LCoS中都可运用。采用Verilog HDL对该数据变换模块进行设计,并进行了逻辑功能仿真,仿真结果表明该方法能将像素数据写入时间缩短约一半,能完成预期功能。
刘艳艳耿卫东代永平孙钟林
关键词：LCOS数据转换VERILOG仿真
硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索
2001年
本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移目的。并对结果进行了分析和讨论 ,认为该技术是可行的。同时特别强调了低温淀积 Si O2 层的完美性对最终转移的 Ga
孙钟林耿卫东陆靖谷
关键词：砷化镓
硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究被引量：5
2001年
为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽带隙 μ c- Si C中能量回传很少 ,故对 Er在波长 1.5 4
孙钟林薛俊明耿卫东于振瑞陆靖谷
关键词：退火硅
硅基液晶显示器(LCoS)核心——显示系统芯片的设计分析被引量：19
2001年
LCo S的核心——显示芯片既不同于普遍的 IC芯片 ,又非传统的TFT-LCD驱动电路与显示矩阵简单组合的芯片 ,而是一块多功能、多结构、与现代 CMOS制造工艺息息相关的片上系统 ( SOC:system on chip) ,即整个显示系统集成到一个芯片上 ,因此 SOC类芯片的设计必须全盘考虑整个系统的各种情况 ,也正是因为如此综合周全 ,与普通 IC组成的系统相比 ,SOC可以在同样的工艺技术条件下 ,实现更高性能的系统指标。以新型的系统芯片方式设计生产的新一代微型显示器—— LCo S应用前景预计将非常广阔。
代永平耿卫东孙钟林
关键词：硅基液晶显示器专用集成电路
LCoS投影显示技术研究进展被引量：9
2003年
从具体介绍一款LCoS显示芯片的研究成果出发,展示了LCoS投影显示技术在中国的研发水平,其间不仅给出LCoS显示芯片的实际生产结果,并对其光学参数作出测量,而且介绍了LCoS显示技术的优势与市场情况。
代永平耿卫东孙钟林
关键词：硅基液晶像素
单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算被引量：1
1999年
本文采用集团模型和推广的Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算了ｃ－Ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果。
薛俊明刘志钢孙钟林赵颖吴春亚李桂华周伟
关键词：铒
微型显示器及其应用被引量：2
2002年
介绍了微型显示器及其应用,比较了不同微显技术的产品性能,同时分析了微显市场,概述了微显技术在中国的发展。
代永平孙钟林王隆望
关键词：微型显示器分辨率硅基液晶
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