刘兴刚
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海-AM基金上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 溅射工艺对LaNiO_3薄膜结构的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜。
- 张丛春石金川刘兴刚杨春生
- 关键词：沉积温度
- 全局互连铜镂空结构的制造方法
- 一种全局互连铜镂空结构的制造方法，属于集成电路金属互连多层结构的制造方法。包括如下步骤：(1)形成图形化的阻挡层，溅射种子层，光刻，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子；(2)刻蚀底膜，填充牺牲层，研磨抛光，溅射种子层，光刻电镀...
- 张丛春杨春生丁桂甫刘兴刚张楷亮
- 文献传递
- 一种新型集成电路铜互连方法的研究
- 集成电路的发展趋势是集成密度的不断增加，伴随着特征尺寸的不断减小，互连延迟已经成为影响芯片速度的主要因素之一，而其中全局互连的时间延迟大大超过了局域互连的贡献，成为决定芯片最终性能的决定因素。各种降低互连延迟的技术方法都...
- 刘兴刚
- 关键词：集成电路互连延迟铜互连芯片制造
- 文献传递
- 全局互连铜镂空结构的制造方法
- 一种全局互连铜镂空结构的制造方法，属于集成电路金属互连多层结构的制造方法。包括如下步骤：(1)形成图形化的阻挡层，溅射种子层，光刻，掩膜电镀，形成图形化的铜柱子；(2)刻蚀底膜，填充牺牲层，研磨抛光，溅射种子层，光刻电镀...
- 张丛春杨春生丁桂甫刘兴刚张楷亮
- 文献传递
- 一种新型的全局互连结构及其加工方法
- 2007年
- 随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。
- 张丛春刘兴刚杨春生石金川
- 关键词：牺牲层CMP
- 制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究被引量：2
- 2007年
- 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径。
- 刘兴刚张丛春杨春生石金川
- 关键词：CU互连低介电常数电容
- 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能被引量：1
- 2008年
- 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。
- 张丛春刘兴刚石金川杨春生
- 关键词：铜互连磁控溅射热稳定性
