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孟雄晖
作品数:
9
被引量:2
H指数:1
供职机构:
兰州大学
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发文基金:
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李思渊
兰州大学物理系
姜岩峰
兰州大学物理系
刘瑞喜
兰州大学物理科学与技术学院
何山虎
兰州大学
杨利成
兰州大学
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机构
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兰州大学
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半导体技术
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兰州大学学报...
1篇
半导体光电
年份
1篇
2004
2篇
2001
2篇
2000
3篇
1999
1篇
1997
共
9
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静电感应晶体管高频功率参数的控制
1999年
以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨。
孟雄晖
李思渊
姜岩峰
关键词:
SIT
功率增益
封装
静电感应晶体管
静电感应器件SIT(H)器件物理和关键技术的基础研究
孟雄晖
关键词:
静电感应器件
晶体管
晶闸管
电力电子器件
短周期超晶格AlP/GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁
1997年
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率。
张福甲
王德明
孟雄晖
刘凤敏
甘润今
关键词:
光跃迁
半导体超晶格
静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节
2000年
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。
孟雄晖
李思渊
姜岩峰
关键词:
静电感应晶闸管
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
被引量:2
2000年
讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构。
孟雄晖
李思渊
刘瑞喜
关键词:
静电感应晶体管
电性能参数
电流-电压特性
静电感应器件SIT(H)器件物理和关键技术的基础研究
孟雄晖
姜岩峰
李思渊
何山虎
刘瑞喜等
该成果以静电感应晶闸管(SITH)为主,对SID的结构、I-V特性、电参数等重要方面进行了全面的研究;给出了SITH的阻断态解析分析方法及结果;提出了对于静电感应器件的统一数值分析方法;进行了1500V/100A电力SI...
关键词:
关键词:
静电感应器件
静电感应器件及其制造方法
本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补...
李思渊
何山虎
刘瑞喜
孟雄晖
刘肃
杨建红
姜岩峰
孙志军
王林
马中华
曹磊
马淑萍
芦小莹
任立
杨利成
毕祥林
黄仕琴
薛传明
张明兰
梁元涛
文献传递
静电感应晶闸管(SITH)的工艺控制和参数调节
1999年
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。
孟雄晖
李思渊
姜岩峰
关键词:
SITH
静电感应
晶闸管
静电感应器件及其制造方法
本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补...
李思渊
何山虎
刘瑞喜
孟雄晖
刘肃
杨建红
姜岩峰
孙志军
王林
马中华
曹磊
马淑萍
芦小莹
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杨利成
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