徐学良
- 作品数：52 被引量：63H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计
- 2012年
- 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。
- 何建谭开洲陈光炳徐学良王建安谢家雄任敏李泽宏张金平
- 关键词：过流保护功率器件
- 用于流水线A/D转换器的同时开关噪声抑制电路
- 本发明公开了一种应用在A/D转换器的开关噪声抑制电路，它包括一个正基准通路RC网络和一个负基准通路RC网络，分别作用于流水线A/D转换器的正基准电压通路和负基准电压通路。本发明电路在常规流水线结构的基础上增加一个正基准通...
- 高煜寒李儒章徐学良刘林涛
- 文献传递
- 恒定振幅压控环形振荡器的偏置电路
- 本发明公开了一种恒定振幅压控振荡器的偏置电路。它包括一个偏置电压V<Sub>BN</Sub>产生电路和一个偏置电压V<Sub>BP</Sub>产生电路。本发明电路通过使用运算放大器和偏置电路相结合的方案，利用运算放大器的...
- 刘凡石建刚罗俊何峥嵘苏晨王建安徐学良
- 文献传递
- SiGe/Si HBT低频噪声特性研究被引量：2
- 2006年
- 对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。
- 张万荣高攀金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管低频噪声
- SiGe/Si HBT高频噪声特性研究被引量：4
- 2006年
- 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
- 张万荣邱建军金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE异质结晶体管
- 高压功率半导体器件及其制造方法
- 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电...
- 谭开洲肖添李孝权徐学良王颖江永清王育新李光波王鹏飞裴颖吴健李儒章王志宽邱盛张培健张正元刘玉奎
- 硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展
- 2023年
- 全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。
- 洪敏陈仙徐学良唐新悦张正元张培健
- 关键词：MOSFET
- SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
- 2007年
- 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。
- 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：硅锗异质结双极型晶体管
- 基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
- 2011年
- 提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管。该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制。
- 唐昭焕甘明富钟怡谭开洲刘勇杨永晖胡刚毅徐学良李荣强
- 关键词：半导体器件
- 一种高速低功耗逐次逼近型模数转换器
- 本发明提供一种高速低功耗逐次逼近型模数转换器，包括采样开关S1和S3、开关S2、电容阵列DAC1和DAC2、与电容阵列DAC1对应的开关阵列SW1、与电容阵列DAC2对应的开关阵列SW2、比较器COMP1、COMP2和C...
- 徐代果胡刚毅徐学良陈光炳
