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文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 7篇三氯氢硅
  • 5篇四氯化硅
  • 5篇氯化
  • 5篇氯化硅
  • 3篇度条件
  • 3篇温度
  • 3篇温度条件
  • 3篇活化处理
  • 3篇硅粉
  • 3篇触媒
  • 2篇电子材料
  • 2篇冶金
  • 2篇有色
  • 2篇有色冶金
  • 2篇提纯
  • 2篇提纯方法
  • 2篇提纯塔
  • 2篇筒形结构
  • 2篇气固
  • 2篇气固分离

机构

  • 7篇中国有色工程...

作者

  • 7篇汤传斌
  • 7篇沈祖祥
  • 7篇严大洲
  • 4篇肖荣晖
  • 3篇刘建军
  • 3篇毋克力

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
三氯氢硅加压提纯方法及其装置
一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5Mpa、温度为70℃~200℃;从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中...
沈祖祥严大洲汤传斌肖荣晖
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三氯氢硅加压提纯方法及其装置
一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5MPa、温度为70℃~200℃:从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中...
沈祖祥严大洲汤传斌肖荣晖
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大型三氯氢硅合成装置及合成方法
一种大型三氯氢硅合成装置,为筒形结构,上部筒体直径扩大部分是气固分离段,该段设有出料口,中部的直筒段是反应段,反应段外包加热器,加热器上方设有硅粉进料口,底部连接下封头,下封头上开有氯化氢进气口,下封头还开有排渣口,其筒...
沈祖祥严大洲汤传斌肖荣晖
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一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的装置
一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的装置,将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后,在H<Sub>2</Sub>气氛及由20℃至终温420℃连续变化的温度条件下活化处理;按一定配比的H<Sub>2</Sub>、SiCl<Sub>...
沈祖祥毋克力严大洲刘建军汤传斌
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四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法
一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后,在H<Sub>2</Sub>气氛及由20℃至终温420℃连续变化的温度条件下活化处理;按一定配比的H<Sub>2</Sub>、SiCl<Sub>...
沈祖祥毋克力严大洲刘建军汤传斌
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大型三氯氢硅合成装置及合成方法
一种大型三氯氢硅合成装置,为筒形结构,上部筒体直径扩大部分是气固分离段,该段设有出料口,中部的直筒段是反应段,反应段外包加热器,加热器上方设有硅粉进料口,底部连接下封头,下封头上开有氯化氢进气口,下封头还开有排渣口,其筒...
沈祖祥严大洲汤传斌肖荣晖
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四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法
一种四氯化硅氢化生产三氯氢硅的方法,将粉末镍触媒与硅粉按一定比例均匀混合后,在H<Sub>2</Sub>气氛及由20℃至终温420℃连续变化的温度条件下活化处理;按一定配比的H<Sub>2</Sub>、SiCl<Sub>...
沈祖祥毋克力严大洲刘建军汤传斌
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共1页<1>
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