章吉良
- 作品数：23 被引量：61H指数：5
- 供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市教育发展基金会“曙光计划”项目“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 用快速傅立叶变换(FFT)求解磁性薄膜的退磁场被引量：2
- 1998年
- 详细阐述了用快速傅立时变换法求解磁性薄膜的退磁场的原理，具体计算了实例，并与磁偶极子法作了比较。
- 张明生蔡炳初赵小林章吉良
- 关键词：快速傅立叶变换磁性薄膜磁学
- LIGA技术X光深层光刻工艺研究被引量：8
- 2000年
- 通过在北京高能所 3W 1束线上进行的X光深层光刻工艺研究 ,获得了侧壁光滑、陡直 ,厚度达 1 0 0 μm ,深宽比达 2 0的光刻胶和金属微结构 ,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
- 陈迪李昌敏章吉良伊福廷周狄郭晓芸
- 关键词：LIGA技术VLSI微机电系统
- Φ2mm微马达驱动旋转式微泵被引量：6
- 2000年
- 在生物医学、化学液体的流量检测与分析及固态元器件冷却等领域中 ,均需要流量的精细控制和检测系统。在这类流量精细控制和检测系统中 ,微小型泵是一个基本元件。作者利用上海交通大学研制成功的、由微细加工工艺制备的、直径为2mm的电磁型微马达作驱动源 ,并配以电火花加工工艺制备的蜗壳和Ti合金叶轮制成旋转式微泵。微泵的外形尺寸为Φ4 5× 6 5mm ,最大流量可达 1 2ml/min ,流量可根据马达转速进行调节。
- 章吉良杨春生赵小林张卫平蔡炳初
- 关键词：电磁型微马达流量控制
- 用磁性液体显示和观察微型磁性薄膜元件中的微磁结构的方法与实践被引量：1
- 1998年
- 对微型磁性薄膜元件中微磁结构和微磁过程的观察和分析是它的设计和应用的基础。本文介绍了用磁性液体显示微型磁性薄膜元件中磁畴结构的方法,并应用该方法观察和分析了微型条件元件和磁阻(MP)传感元件中的磁化和反磁化过程。
- 余晋岳张明生周狄章吉良张宏魏福林
- 关键词：磁性液体
- 退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响被引量：1
- 2000年
- 详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。
- 周勇赵小林章吉良周狄
- 关键词：退火效应磁滞回线磁各向异性
- CoZrNb磁控溅射的背散射研究
- 1993年
- 对于各组份原子质量相差显著的CoZrNb合金,当使用磁控溅射时,在靶和基板之间存在不同的实际源,由这个实际源发生的粒子将在靶死区内背散射沉积。实际源到靶的距离随溅射工作气体压力而变化。对于原子质量较大的Zr和Nb,这种背散射的程度要比原子质量小的Co更严重。背散射沉积薄膜的表面微结构证实,这种背散射沉积过程类似于真空蒸发。为了获得理想配比的CoZrNb薄膜,应该选择合适的溅射工作气体压力。
- 章吉良
- 关键词：磁控溅射背散射
- DEM技术研究被引量：30
- 1998年
- 首次提出用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术进行非硅材料三维微机械加工，该技术吸收了体硅微加工技术和ＬＩＧＡ技术的优点，解决了ＬＩＧＡ技术的光源问题。目前利用该技术已获得了微复制模具雏形，其加工深度已达到１８０μｍ，深宽比大于２０。利用该技术可对非硅材料，如金属、塑料或陶瓷进行三维微加工。该技术的开发成功，可望成为一项全新的三维微加工技术。
- 陈迪张大成丁桂甫赵小林赵小林杨春生章吉良武国英
- 关键词：DEM技术深层刻蚀微电铸LIGA技术
- 溅射气体和基板偏压对溅射Al_2O_3薄膜内应力和密度的影响
- 1996年
- 在纯Ar和Ar＋10％O2两种工作气体及不同基极偏压条件下，用射频溅射方法制备了Al2O3薄膜，测量了每个样品的内应力和密度，并对部分样品用X射线光电子谱进行了结构分析。结果表明，薄膜呈非晶态，薄膜的内应力均为压应力，并给出了气体种类和们压对膜的密度和应力的影响。
- 章吉良李明杨春生赵小林宋柏泉
- 关键词：射频溅射内应力氧化铝
- 用平面内散射的测量方法研究LiNPO3平面光波导中的光折变效应
- ＜正＞一、引言对于集成光学器件,例如射频频谱分析仪,偏离前向的导波光的散射是限制器件分辨率的重要因素。定义那种局限在波导层平面内的散射为平面内散射（inplane scattering）。
- 章吉良许政权陈益新
- 文献传递
- 微型NiFe磁阻(MR)薄膜传感元件在反磁化过程中的钩形畴活动
- 1999年
- 从NiFe磁阻（Magneto－Resistive）薄膜传感元件的实际结构出发，全面观察和分析了它在难轴方向反磁化过程中磁畴结构的转变过程发现，由于实际元件是不规则形状的，特别是由于引线形状各向异性的影响，即使在传感器形状比（aspectratio）大于50：1时，传感器中仍然不是单畴的。实验中具体观察了从引线衍生到传感器有效区域的钩形畴活动和它的不可逆转变，说明它是产生Barkhausen跳跃的一个潜在的物理原因。这是过去文献中所未曾充分注意和研究过的。
- 余晋岳蔡炳初张明生章吉良赵小林周狄魏福林
- 关键词：传感元件反磁化磁畴
