罗宏伟
- 作品数：104 被引量：208H指数：8
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 基于V93k的多时钟域集成电路测试技术研究被引量：3
- 2019年
- 随着复杂集成电路的飞速发展,SoC产品成为了整机系统的重要解决方案。由于此类产品的复杂结构、多时钟域特性,对测试方法和测试技术也提出了更高的要求。尽管测试仪器设备及测试手段在近年来也在快速发展,但是仍然不能完全满足此类产品发展的需求。如何快速、有效地完成此类产品的测试一直是测试从业人员特别关注的问题。针对此类多时钟域产品,共时测试方案是一种高效的解决方案,但是其实现过程较为复杂,其向量转换、测试程序开发等方面都需要借助特别的手段来实现。主要针对多时钟域产品共时测试开发的解决方案、向量转换等问题进行了研究,并给出了基于V93k ATE进行单时钟和多时钟测试等多种解决途径。
- 周圣泽陈勇帆唐锐罗宏伟
- 关键词：集成电路多时钟域
- 一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法
- 本发明公开了一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，首先通过分析MCM/HIC电路，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件，然后在MCM/HIC电路工作状态下，使用辐照夹具针对一个或多个敏感元器件进行...
- 罗宏伟何玉娟恩云飞师谦肖庆中
- 文献传递
- 不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究被引量：1
- 2006年
- 研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
- 钱聪张恩霞贺威张正选张峰林成鲁王英民王小荷赵桂茹恩云飞罗宏伟师谦
- 关键词：总剂量辐照效应
- DC-DC电源模块X射线总剂量辐射效应研究
- 采用10keVX射线对工作状态下的DC-DC电源模块进行总剂量辐射；并在线监测DC-DC电源模块X射线总剂量辐射中的输入与输出端口电压电流变化情况；最后，对总剂量辐照失效的DC-DC电源模块进行失效分析。结果表明，DC-...
- 何玉娟恩云飞罗宏伟师谦
- 关键词：DC-DC电源模块电磁辐射动态监测
- 集成电路ESD设计验证技术被引量：3
- 2008年
- 传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数。
- 罗宏伟肖庆中路香香石晓峰
- 关键词：集成电路
- 在高温恒定电场中与时间有关的介质击穿试验方法
- 一种与时间有关的介质击穿可靠性的测试方法，所述测试方法采用高温恒定电压应力对集成电路栅氧化层及介质层测试结构进行TDDB可靠性测试，测试方法按如下步骤进行：搭建测试系统，首先将测试结构并联，然后将试验样品置于高温箱中，接...
- 罗宏伟
- 文献传递
- SRAM型FPGA单粒子效应测试方法及试验验证被引量：3
- 2021年
- 针对空间用SRAM型FPGA器件抗单粒子效应性能全面测试评估的要求,研究内部不同资源电路结构的单粒子效应敏感性及测试方法,利用重离子加速器开展抗辐射加固SRAM型FPGA单粒子效应模拟辐照试验,对配置存储器、块存储器、触发器等敏感单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子锁定特性进行研究。试验结果表明,所提出测试方法能有效地覆盖测试SRAM型FPGA单粒子效应敏感资源,所测试抗辐射加固SRAM型FPGA器件具有良好的抗单粒子锁定性能,但对单粒子翻转和单粒子功能中断非常敏感,静态测试模式下对单粒子翻转更为敏感。有关测试方法和结果可以为SRAM型FPGA的单粒子效应评估及防护提供参考。
- 余永涛陈煜海余俊杰龙伊雯罗军王小强罗宏伟
- 关键词：现场可编程门阵列单粒子效应单粒子翻转
- KGD技术发展动态
- 裸芯片在国内有着广泛的用途和市场,尤其是在军用HIC和MCM应用领域,裸芯片质量和可靠保证一直是人们关注的热点.本文论述了已知良好芯片(KGD)保证的主要技术要求,国外KGD技术发展现状,以及国内发展KGD技术面临的机遇...
- 恩云飞罗宏伟谭超元
- 关键词：裸芯片可靠性混合集成电路多芯片组件
- 文献传递
- ESD加固设计的CAD工具
- 随着器件尺寸的进一步缩小,ESD加固设计变得更为突出。传统ESD设计是基于试验的反复设计,其设计周期长,效率低,基于CAD的ESD加固设计是目前研究的一个热点。本文介绍了几种可以提高ESD加固设计效率和正确性的CAD工具...
- 吴建得罗宏伟
- 关键词：集成电路芯片设计静电释放
- 文献传递
- 多指条nMOSFET抗ESD设计技术被引量：11
- 2004年
- 利用多指条nMOSFET进行抗ESD设计是提高当前CMOS集成电路抗ESD能力的一个重要手段,本文针对国内某集成电路生产线,利用TLP(TransmissionLinePulse)测试系统,测试分析了其nMOSFET单管在ESD作用下的失效机理,计算了单位面积下单管的抗ESD(ElectroStaticDischarge)能力,得到了为达到一定抗ESD能力而设计的多指条nMOSFET的面积参数,并给出了要达到4000V抗ESD能力时保护管的最小面积,最后通过ESDS试验进行了分析和验证。
- 罗宏伟恩云飞杨银堂朱樟明
- 关键词：ESD设计NMOSFET
