师谦
- 作品数：58 被引量：95H指数：6
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法
- 本发明公开了一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法，首先通过分析MCM/HIC电路，确定MCM/HIC电路中的辐照敏感元器件，然后在MCM/HIC电路工作状态下，使用辐照夹具针对一个或多个敏感元器件进行...
- 罗宏伟何玉娟恩云飞师谦肖庆中
- 文献传递
- 从边界扫描技术协议讨论其发展与应用被引量：4
- 2007年
- 边界扫描测试技术作为当前电子测试技术的热点,其应用与发展是令人瞩目的。本文通过对边界扫描技术一系列协议的简单介绍和剖析,讨论了边界扫描技术各个阶段的应用与发展情况,并对边界扫描技术未来的发展给出了一些预测。
- 肖小清师谦恩云飞周继承
- 关键词：IEEE1149.1
- 小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟
- 2008年
- 主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况。模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加。
- 汪俊师谦邓文基
- 关键词：单粒子翻转电荷收集
- 动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
- 2008年
- 辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。
- 何玉娟师谦罗宏伟恩云飞章晓文李斌刘远
- MOS器件的X射线辐照效应被引量：3
- 2005年
- 研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明,辐照后,与用Co60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。
- 刘远李若瑜恩云飞李斌罗宏伟师谦
- 关键词：MOS器件辐照剂量率总剂量X射线
- 质子SEU率计算模型及其对比
- 本文首先介绍了计算质子单粒子翻转(SEU)率的三种模型——优质因素(FOM)模型、J.Barak的模型和Philippe Calvel的模型，然后对通过重离子数据计算质子翻转横截面以及SEU率的理论依据进行了说明,最后阐...
- 汪俊师谦邓文基
- 关键词：集成电路芯片设计单粒子翻转
- 文献传递
- 空间高能离子在纳米级SOISRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究被引量：1
- 2017年
- 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.
- 张战刚雷志锋岳龙刘远何玉娟彭超师谦黄云恩云飞
- 关键词：绝缘体上硅单粒子翻转二次电子
- 深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究
- 2011年
- 对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。
- 尹雪梅师谦李斌
- 关键词：温度退火效应总剂量效应电离辐射
- 质子SEL影响因素分析被引量：1
- 2008年
- 主要对质子单粒子闩锁(SEL)的影响因素进行了分析,首先介绍了质子SEL原理,然后对电路质子SEL有重要影响的四个影响因素-封装、新材料的应用、质子能量和质子入射方向进行了详细分析。分析结果表明,要研究最坏情况下地球辐射带中质子SEL,需要在较高环境温度情况下(一般取125℃),使用能量大于400MeV的质子在斜入射和垂直入射时对SEL进行同时研究。
- 汪俊师谦邓文基
- 集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术被引量：14
- 2003年
- 介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法,该方法不仅可替代HBM测试,还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制。
- 罗宏伟师谦
- 关键词：静电放电传输线脉冲测试技术
