肖光明
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
- 1990年
- 本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。
- 肖光明殷士端张敬平范缇文刘家瑞丁爱菊周均铭朱沛然
- 关键词：离子注入退火GAAS/SI晶体
- InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
- 1989年
- 用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道效应产生的原因和条件。
- 吴春武殷士端张敬平肖光明刘家瑞朱沛然
- 关键词：沟道效应
