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ZnO/ZnMgO异质结场效应管制备与性能研究: ZnO是一种纤锌矿结构直接带隙半导体,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可望实现室温激子复合辐射.同时ZnO基半导体作为极性半导体,具有较强的压电极化和自发极化效应,因此ZnO/ZnMgO的异质结界面...; 朱振邦顾书林朱顺明黄时敏顾然郑有炓

MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究: 2012年; 以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。; 朱顺明黄时敏顾书林朱振邦顾然郑有炓

ZnMgO/ZnO异质结构的MOCVD生长、性质与器件应用: ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体异质结构的制备也是研制半导体光电器件的核心和关键,因此...; 顾书林朱顺明朱振邦黄时敏顾然张荣施毅郑有炓

Te/N共掺ZnO薄膜的高温真空退火研究: ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中的p型N掺杂有显著的增强作用,同时也可显著减...; 顾然顾书林朱顺民黄时敏朱振邦郑有炓

ZnO MOCVD生长反应氧源H2O和t-BuOH的比较研究: MOCVD技术具有生长纯度高,大面积均匀性良好并适合于大规模生产,同时生长易于控制,可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡,适合于生长各种异质结构材料等诸多优势。过去二十多年来Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料与器件的发展历史已经证...; 朱顺明顾书林朱振邦黄时敏顾然郑有炓

ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究: 2012年; 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。; 朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓; 关键词：异质结场效应管迁移率

在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法: 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，...; 汤琨朱顺明顾然顾书林叶建东黄时敏姚峥嵘郑有炓; 文献传递

高质量ZnO薄膜的MOCVD外延生长与原位掺杂: ZnO材料的激子束缚能为60meV，是一种具有优越的光电性质的宽带隙半导体材料，在紫外探测器件和激光器等短波长光电器件方面具有重要的应用前景，然而ZnO的p型掺杂难题仍然是其实际应用的最大障碍。氮元素是目前公认的最有可能...; 顾然; 关键词：氧化物半导体氧化锌薄膜原位掺杂退火处理

离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响: 2014年; II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn Te:O材料的微观结构和光学特性的影响.研究表明:注入合适浓度的氧离子(2.5×1018cm-3)将会形成晶格应变,并诱导1.80 e V(导带下0.45 e V)中间带的产生;而较高浓度(2.5×1020cm-3)的氧离子会导致Zn Te注入层表面非晶化,并增强与锌空位相关的深能级(～1.6 e V)发光.时间分辨光致发光结果显示,离子注入诱导形成的中间带主要是和氧等电子陷阱束缚的局域激子发光有关,载流子衰减寿命较长(129 ps).因此,需要降低晶格紊乱度和合金无序,实现电子局域态向扩展态的转变,从而有效调控中间带能带结构.; 甄康顾然叶建东顾书林任芳芳朱顺明黄时敏汤琨唐东明杨燚张荣郑有炓; 关键词：离子注入 II-VI族半导体

金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理被引量：1: 2014年; 本文重点探讨了金属有机源化学气相沉积生长ZnO薄膜中氢气的作用与机理.研究表明氢气对ZnO薄膜的结构与性质具有重要的影响.当采用叔丁醇为氧源时,氢气对ZnO薄膜的晶体质量,表面结构和发光性质主要产生负面的影响,同时发现氢气的加入有助于抑制碳的沾污.而当采用笑气为氧源时,测量显示表面变光滑,晶体质量得到提高,发光强度也得到提升.氢气在笑气作为氧源生长ZnO的过程中基本起到了正面的作用.论文最后从氢气降低生长表面能量,提高表面原子迁移能力但存在表面腐蚀作用的方向以上结果给予了较好的解释.研究显示MOCVD生长高质量ZnO薄膜中氢气的优化具有特别重要的意义.; 朱顺明顾然黄时敏姚峥嵘张阳陈斌毛昊源顾书林叶建东郑有炓; 关键词：氧化锌

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顾然