朱振邦
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学轻工技术与工程更多>>
- Te/N共掺ZnO薄膜的高温真空退火研究
- ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,已有理论与实验研究显示V族Te元素对ZnO薄膜中的p型N掺杂有显著的增强作用,同时也可显著减...
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- ZnO MOCVD生长反应氧源H2O和t-BuOH的比较研究
- MOCVD技术具有生长纯度高,大面积均匀性良好并适合于大规模生产,同时生长易于控制,可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡,适合于生长各种异质结构材料等诸多优势。过去二十多年来Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料与器件的发展历史已经证...
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- ZnO基异质结构及其场效应器件的制备与性质
- 以SiC、GaN等材料为代表的宽禁带半导体材料，由于带隙宽度大、抗辐射能力强、击穿电场高等特点，被称为第三代半导体材料。ZnO的优点在于，它在高质量体单晶和较大激子束缚能(60meV)方面远优于GaN等材料，从而在蓝紫光...
- 朱振邦
- 关键词：场效应器件迁移率
- ZnO/ZnMgO异质结场效应管制备与性能研究
- ZnO是一种纤锌矿结构直接带隙半导体,室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可望实现室温激子复合辐射.同时ZnO基半导体作为极性半导体,具有较强的压电极化和自发极化效应,因此ZnO/ZnMgO的异质结界面...
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- MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
- 2012年
- 以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。
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- 关键词：MOCVD
- ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
- 2012年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
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- 关键词：异质结场效应管迁移率
- ZnMgO/ZnO异质结构的MOCVD生长、性质与器件应用
- ZnO基半导体优越的光电性能使之成为发展紫外半导体光电器件的优选材料,但目前ZnO薄膜中高质量p型掺杂实现的困难使其光电器件的应用步履维艰,进展缓慢。另一方面,半导体异质结构的制备也是研制半导体光电器件的核心和关键,因此...
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- 铜纳米颗粒吸收光谱特性研究被引量：6
- 2008年
- 采用蒸汽冷凝法制备了10～100 nm的铜纳米颗粒,然后将纳米铜分散在水溶液中,通过重力沉降法得到一系列不同尺度的铜纳米颗粒溶液.用光栅光谱仪检测其透射光谱,并进行分析处理.结果表明,不同尺寸的纳米铜颗粒均有2个吸收峰,峰值波长分别在450 nm和610 nm左右,并且随着铜纳米颗粒尺度的减小,吸收峰向短波长移动.纳米铜颗粒的光吸收谱中出现的双峰结构,我们认为来自于其特有的表面等离激元吸收峰.
- 朱振邦赵亮周惠君吴卫国徐岭
- 关键词：铜纳米颗粒吸收光谱
- NH3为掺杂源的MOCVD ZnO薄膜生长中的N掺杂行为
- ZnO的高质量p型掺杂已成为ZnO基结构材料与器件应用的关键技术问题,p型掺杂剂在氧化锌中固溶度的限制以及较深的掺杂能级位置是实现高效p型掺杂的主要障碍。在诸多掺杂元素中,N被认为是ZnO中最合适的p型掺杂元素,而N2O...
- 黄时敏顾书林朱顺明顾然朱振邦郑有炓
