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刘尚合

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇离子注入
  • 1篇晶向
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶度
  • 1篇薄层电阻
  • 1篇层电阻

机构

  • 1篇北京师范大学

作者

  • 1篇刘尚合
  • 1篇卢武星

传媒

  • 1篇北京师范大学...

年份

  • 1篇1979
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅中砷离子注入的研究
1979年
离子注入作为一种新技术和新兴的边缘学科,在半导体器件生产和大规模集成电路以及超大规模集成电路的研制中得到了普遍的应用。据报导,离子注入已经以五十多种不同的方式出色地使用于半导体器件的研制。在高浓度、浅结的 n 型层制备中,引人注目的是砷离子注入工艺。这是由于 As 在 Si 中固溶度较高,扩散系数小。
刘尚合卢武星
关键词：离子注入载流子浓度退火温度薄层电阻固溶度晶向
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