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张德宏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇正电子
  • 1篇正电子湮没
  • 1篇SI
  • 1篇GAAS
  • 1篇N-GAAS

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇张德宏
  • 1篇吴凤美
  • 1篇滕敏康
  • 1篇唐杰
  • 1篇陈岭

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究被引量：1
1989年
用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.
吴凤美沈德勋滕敏康陈岭唐杰张德宏
关键词：GAAS正电子湮没
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共1页<1>
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