陈岭
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究
- 1989年
- 利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变溫度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。
- 陈岭滕敏康
- 关键词：高TC超导体正电子湮没
- SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究被引量：1
- 1989年
- 用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.
- 吴凤美沈德勋滕敏康陈岭唐杰张德宏
- 关键词：GAAS正电子湮没
- 未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究
- 1990年
- 用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。
- 吴凤美滕敏康沈德熏陈岭
- 关键词：砷化镓正电子湮没退火行为辐照
